Infineon Technologies IRG7PH35UD1PBF
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IRG7PH35UD1PBF
1211-IRG7PH35UD1PBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 1200V 50A 179W TO247
--最小包装量--
IRG7PH35UD1PBF详情
Infineon Technologies IRG7PH35UD1PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
50A
Number of Elements
1
Test Conditions
600V, 20A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
Reach合规守则
compliant
基本部件号
IRG7PH35
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
179W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247AC
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
最大耗散功率(Abs)
179W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
400 ns
IGBT类型
Trench
闸门收费
85nC
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
-/160ns
开关能量
620μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
30V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
最大下降时间 (tf)
105ns
RoHS状态
符合RoHS标准
IRG7PH35UD1PBF拓展信息
Infineon Technologies
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