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首页 全部分类 FGH40N60SFDTU vs STGW39NC60VD

FGH40N60SFDTU备选型号: STGW39NC60VD

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  • IGBT类型
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FGH40N60SFDTU
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 80A 290W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    290W
    FGH40N60
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    25 ns
    290W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    45 ns
    TO-247AB
    108 ns
    2.9V @ 15V, 40A
    170 ns
    场站
    120nC
    120A
    25ns/115ns
    1.13mJ (on), 310μJ (off)
    20V
    6.5V
    90ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW39NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    250W
    STGW39
    Single
    ISOLATED
    Standard
    33 ns
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    45ns
    TO-247AC
    46 ns
    2.4V @ 15V, 30A
    366 ns
    -
    126nC
    220A
    33ns/178ns
    333μJ (on), 537μJ (off)
    20V
    5.75V
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    1.8V
    PowerMESH™
    600V
    40A
    3
    250W
    13ns
    600V
    40A
    无SVHC
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