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首页 全部分类 FGH40T120SMDL4 vs IKZ50N65EH5XKSA1

FGH40T120SMDL4备选型号: IKZ50N65EH5XKSA1

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  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FGH40T120SMDL4
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 3-Pin TO-247 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    3
    6.289g
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    555W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    555W
    2.4V
    80A
    65 ns
    1200V
    2.4V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    370nC
    160A
    44ns/464ns
    2.24mJ (on), 1.02mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKZ50N65EH5XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 4-Pin TO-247 Tube
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    4
    -
    650V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    273W
    未说明
    未说明
    -
    Standard
    273W
    650V
    85A
    53 ns
    -
    2.1V @ 15V, 50A
    Trench
    109nC
    200A
    20ns/250ns
    410μJ (on), 190μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    TrenchStop™ 5
    4
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    电源控制
    无卤素
    N-CHANNEL
    27 ns
    311 ns
    无铅
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