FGH50N6S2备选型号: HGTG30N60A4D

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
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  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 箱体转运
  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    IGBT 600V 75A 463W TO247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    600V
    463W
    未说明
    75A
    未说明
    不合格
    Single
    463W
    Standard
    13 ns
    电源控制
    15ns
    N-CHANNEL
    2.7V
    75A
    28 ns
    2.7V @ 15V, 30A
    180 ns
    70nC
    240A
    13ns/55ns
    260μJ (on), 250μJ (off)
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4DIGBT Single Transistor, General Purpose, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2016
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    8541.29.00.95
    600V
    463W
    -
    30A
    -
    -
    Single
    463W
    Standard
    25 ns
    电源控制
    12s
    N-CHANNEL
    600V
    75A
    35 ns
    2.6V @ 15V, 30A
    238 ns
    225nC
    240A
    25ns/150ns
    280μJ (on), 240μJ (off)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    Tin
    6.39g
    低导通损耗
    HGTG30N60
    COLLECTOR
    55ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
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