STMicroelectronics STGW60V60DF
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STGW60V60DF
2381-STGW60V60DF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 600V 80A 375W TO247
--最小包装量--
STGW60V60DF详情
STMicroelectronics STGW60V60DF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.35V
Test Conditions
400V, 60A, 4.7 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
375W
基本部件号
STGW60
元素配置
Single
功率耗散
375W
输入类型
Standard
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
反向恢复时间
74ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 60A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
334nC
集极脉冲电流(Icm)
240A
Td(开/关)@25°C
60ns/208ns
开关能量
750μJ (on), 550μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW60V60DF拓展信息
STMicroelectronics
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