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首页 全部分类 FGH75T65UPD vs STGW60H65DRF

FGH75T65UPD备选型号: STGW60H65DRF

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 基本部件号
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FGH75T65UPD
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 650V 150A 187W
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    650V
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    375W
    56ns
    Single
    Standard
    375W
    N-CHANNEL
    650V
    150A
    85 ns
    2.3V @ 15V, 75A
    沟渠现场停车
    385nC
    225A
    32ns/166ns
    2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
    20V
    7.5V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW60H65DRF
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    6.500007g
    650V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    420W
    -
    Single
    Standard
    420W
    N-CHANNEL
    650V
    120A
    19 ns
    2.4V @ 15V, 60A
    沟渠现场停车
    217nC
    240A
    85ns/178ns
    940μJ (on), 1.06mJ (off)
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    32 Weeks
    STGW60
    无铅
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