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首页 全部分类 FJV4101RMTF vs MMUN2113LT1

FJV4101RMTF备选型号: MMUN2113LT1

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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 最小直流增益（hFE）
  • ON Semiconductor
    FJV4101RMTF
    ON Semiconductor
    Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    50V
    -300mV
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.95
    -50V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    -100mA
    FJV4101
    PNP
    Single
    200mW
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    50V
    100mA
    20 @ 10mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 500μA, 10mA
    200MHz
    50V
    200MHz
    -50V
    -10V
    4.7 k Ω
    -100mA
    4.7 k Ω
    930μm
    2.92mm
    1.3mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MMUN2113LT1
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
    表面贴装
    -
    SOT-23-3
    3
    -
    50V
    -
    Cut Tape (CT)
    2001
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
    8541.21.00.95
    -50V
    246mW
    DUAL
    鸥翼
    -100mA
    -
    PNP
    Single
    246mW
    SWITCHING
    -
    50V
    100mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100mA
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    240
    not_compliant
    30
    3
    不合格
    80
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