FKV550N备选型号: DMT6009LCT
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 输入电容
- 最大rds
- MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F12 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack3SILICON50A Ta4.2V @ 250μA150°C TJBulk2012yes活跃1 (Unlimited)3EAR998541.29.00.95SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3不合格SINGLE增强型MOSFETN-Channel15m Ω @ 25A, 10V2000pF @ 10V50V±20V50ATO-220AB0.015Ohm50V150 mJ符合RoHS标准无铅------
- MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB19 Weeks通孔通孔TO-220-3--37.2A Tc2V @ 250μA-55°C~150°C TJTube2016-活跃1 (Unlimited)----------N-Channel12mOhm @ 13.5A, 10V1925pF @ 30V60V±16V37.2A----ROHS3 Compliant-TO-220AB150°C-55°C33.5nC @ 10V1.925nF12 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFZ44Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB | 对比 |
![]() | DMT6009LCT | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB | 对比 |
![]() | AUIRFZ48Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB | 对比 |





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