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首页 全部分类 FKV550N vs IRFI1010NPBF

FKV550N备选型号: IRFI1010NPBF

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  • JESD-30代码
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Sanken
    FKV550N
    Sanken
    MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    50A Ta
    4.2V @ 250μA
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    15m Ω @ 25A, 10V
    2000pF @ 10V
    50V
    ±20V
    50A
    TO-220AB
    0.015Ohm
    50V
    150 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFI1010NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    49A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    12m Ω @ 26A, 10V
    2900pF @ 25V
    -
    ±20V
    49A
    TO-220AB
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    12mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    55V
    49A
    Single
    47W
    ISOLATED
    11 ns
    SWITCHING
    130nC @ 10V
    66ns
    46 ns
    4V
    20V
    44A
    55V
    290A
    9.8mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
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