FL6L52070L备选型号: SSM3K106TU(TE85L)

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  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 系列
  • 已出版
  • 功率耗散
  • 辐射硬化
  • Panasonic Electronic Components
    MOSFET P-CH 20V 1A MINI6-F1
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    1A Ta
    125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    未说明
    unknown
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    12 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    420m Ω @ 500mA, 4V
    1.5V @ 1mA
    80pF @ 10V
    6ns
    20V
    ±12V
    10 ns
    1A
    12V
    1A
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
    -
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    3
    -
    1.2A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    N-Channel
    -
    310m Ω @ 600mA, 10V
    2.3V @ 100μA
    36pF @ 10V
    -
    -
    ±20V
    -
    1.2A
    20V
    -
    20V
    -
    符合RoHS标准
    π-MOSVI
    2009
    800mW
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