FL6L52070L备选型号: SSM3K106TU(TE85L)
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 系列
- 已出版
- 功率耗散
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 20V 1A MINI6-F112 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads6SILICON1A Ta125°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)6EAR99DUAL未说明unknown未说明1Single增强型MOSFET12 nsP-ChannelSWITCHING420m Ω @ 500mA, 4V1.5V @ 1mA80pF @ 10V6ns20V±12V10 ns1A12V1A-20VSchottky Diode (Isolated)符合RoHS标准----
- MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM-表面贴装表面贴装3-SMD, Flat Lead3-1.2A Ta150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)-------Single--N-Channel-310m Ω @ 600mA, 10V2.3V @ 100μA36pF @ 10V--±20V-1.2A20V-20V-符合RoHS标准π-MOSVI2009800mW无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| US6J2TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 | 对比 | |
| SSM3K106TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM | 对比 | |
| US5U30TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 | 对比 |



哦! 它是空的。