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首页 全部分类 FM25H20-DGTR vs CY14B101Q2-LHXI

FM25H20-DGTR备选型号: CY14B101Q2-LHXI

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  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
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  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
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  • 内存大小
  • 电源电流
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  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 内存宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 字长
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 最大功率耗散
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 工作电源电压
  • 逻辑功能
  • 时间格式
  • 长度
  • Cypress Semiconductor Corp
    FM25H20-DGTR
    Cypress Semiconductor Corp
    NVRAM FRAM Serial-2Wire 2M-Bit 3V/3.3V 8-Pin TDFN EP T/R
    8-WDFN Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    8
    Non-Volatile
    2013
    F-RAM™
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~85°C TA
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.7V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    1.27mm
    FM25H20
    8
    3.6V
    3/3.3V
    2.7V
    2-Wire, SPI, Serial
    2Mb 256K x 8
    10mA
    40MHz
    9 ns
    FRAM
    SPI
    8b
    8
    2 Mb
    0.00027A
    8b
    2mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY14B101Q2-LHXI
    Cypress Semiconductor Corp
    NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1M-Bit 3V 8-Pin DFN EP
    8-WDFN Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    8
    Non-Volatile
    2008
    -
    Tray
    -40°C~85°C TA
    e4
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    2.7V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3V
    1.27mm
    CY14B101
    8
    3.6V
    -
    2.7V
    SPI, Serial
    1Mb 128K x 8
    10mA
    40MHz
    9 ns
    NVSRAM
    SPI
    8b
    8
    1 Mb
    0.005A
    8b
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    6 Weeks
    Gold, Tin
    1W
    30
    3V
    Clock
    HH:MM:SS
    6mm
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