FM25W256-G备选型号: N25S830HAS22I

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  • 生命周期状态
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  • 无卤素
  • 地址总线宽度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 待机电压-最小值
  • 辐射硬化
  • Cypress Semiconductor Corp
    CYPRESS SEMICONDUCTOR - FM25W256-G - FRAM, 256K, SPI, 8SOIC
    6 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    8
    540.001716mg
    Non-Volatile
    2008
    F-RAM™
    Tube
    -40°C~85°C TA
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    2.7V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    1.27mm
    6A
    30
    FM25W256
    8
    不合格
    3.3V
    5.5V
    3/5V
    2.7V
    256Kb 32K x 8
    2mA
    SYNCHRONOUS
    20MHz
    20 ns
    FRAM
    SPI
    8b
    256 kb
    0.00003A
    8b
    85°C
    3.987mm
    4.98mm
    1.727mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR N25S830HAS22I SRAM, 256KBIT, SERIAL, 20MHZ, 8-SOIC
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    -
    8
    -
    Volatile
    2000
    -
    Tube
    -40°C~85°C TA
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    2.7V~3.6V
    DUAL
    -
    1
    3V
    -
    -
    -
    N25S830HA
    8
    -
    3V
    3.6V
    -
    2.7V
    256Kb 32K x 8
    10mA
    -
    20MHz
    25 ns
    SRAM
    SPI
    -
    256 kb
    0.000004A
    8b
    -
    4mm
    5mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    yes
    Tin (Sn)
    2-Wire, SPI, Serial
    1
    3-STATE
    无卤素
    1b
    SEPARATE
    Synchronous
    2.7V
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