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首页 全部分类 FMB200 vs FMB857B

FMB200备选型号: FMB857B

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • ON Semiconductor
    FMB200
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
    LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
    28 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    45V
    400mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -45V
    700mW
    鸥翼
    -500mA
    300MHz
    FMB200
    PNP
    Dual
    700mW
    AMPLIFIER
    300MHz
    2 PNP (Dual)
    45V
    500mA
    100 @ 150mA 5V
    50nA
    400mV @ 20mA, 200mA
    300MHz
    45V
    -60V
    -6V
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FMB857B
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 45V 0.5A SSOT-6
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    -
    -
    45V
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -45V
    700mW
    -
    -100mA
    -
    -
    PNP
    Dual
    700mW
    -
    -
    PNP
    45V
    500mA
    220 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    650mV @ 5mA, 100mA
    -
    -
    50V
    -5V
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    SuperSOT™-6
    150°C
    -55°C
    700mW
    45V
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