ON Semiconductor FMB857B

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

供应商器件包装

SuperSOT™-6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

2

hFEMin

220

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

700mW

额定电流

-100mA

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

700mW

功率 - 最大

700mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅