FMB857B备选型号: DMA204030R
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- 底架
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- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 高度
- 长度
- 宽度
- TRANS PNP 45V 0.5A SSOT-6表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SuperSOT™-645V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C-45V700mW-100mAPNPDual700mW700mWPNP45V500mA220 @ 2mA 5V15nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA45V50V-5V无符合RoHS标准无铅------------------
- Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm表面贴装表面贴装SOT-23-66-50V150°C TJTape & Reel (TR)Discontinued1 (Unlimited)---300mW-PNPDual--2 PNP (Dual)500mV500mA210 @ 2mA 10V / 120 @ 150mA 10V100μA500mV @ 10mA, 100mA / 600mV @ 30mA, 300mA---5V-符合RoHS标准-SILICON-600mV6EAR998541.21.00.75鸥翼未说明unknown未说明DMA20403AMPLIFIER150MHz150MHz50V150MHz 130MHz1.1mm2.9mm1.5mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMB3946 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 | |
| FMB3906 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose | 对比 | |
| FMB200 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose | 对比 |



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