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首页 全部分类 FMG2G200US60 vs APTGT100DA60T1G

FMG2G200US60备选型号: APTGT100DA60T1G

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  • 功率 - 最大
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  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • ON Semiconductor
    FMG2G200US60
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 7-Pin PM-HA
    Chassis Mount, Panel
    底座安装
    7PM-HA
    7
    600V
    2.1V
    -40°C~150°C TJ
    Box
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    695W
    200A
    半桥
    Dual
    695W
    Standard
    600V
    200A
    250μA
    2.7V @ 15V, 200A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT100DA60T1G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    600V
    -
    -40°C~175°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    340W
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    600V
    150A
    250μA
    1.9V @ 15V, 100A
    有
    符合RoHS标准
    -
    36 Weeks
    SILICON
    2007
    e1
    yes
    12
    EAR99
    锡银铜
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    未说明
    未说明
    12
    不合格
    ISOLATED
    340W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    6.1nF
    180 ns
    370 ns
    沟渠现场停车
    20V
    6.1nF @ 25V
    1.9 V
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