FMG2G75US120备选型号: APTGT35A120T1G
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- 电压 - 额定直流
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- 元素配置
- 功率耗散
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- NTC热敏电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入电容
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 输入电容(Cies)@Vce
- 辐射硬化
- IGBT MODULE 1200V 75A 445W 7PMGA底座安装底座安装7PM-GA1.2kV3V-40°C~150°C TJBulk2004Obsolete1 (Unlimited)1.2kV445W75A半桥Dual445WStandard1.2kV75A3mA1200V3V @ 15V, 75A无符合RoHS标准无铅---------------------
- Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 12-Pin Case SP-1Chassis Mount, Screw底座安装SP11.2kV--40°C~150°C TJ-2007活跃1 (Unlimited)-208W-半桥Dual-Standard2.1V55A250μA1200V2.1V @ 15V, 35A有符合RoHS标准-36 Weeks1SILICONe1yes12EAR99锡银铜UPPERTHROUGH-HOLE12ISOLATED208WMOTOR CONTROLN-CHANNEL2.5nF140 ns610 ns沟渠现场停车2.5nF @ 25V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGT35A120T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 12-Pin Case SP-1 | 对比 |
![]() | APTGT50A120T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 12-Pin Case SP-1 | 对比 |




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