FMM150-0075X2F备选型号: IRFP2907ZPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-530 Weeks通孔通孔ISOPLUSi5-Pak™SILICON2-55°C~175°C TJTubeHiPerFET™, TrenchT2™2009e1yes活跃1 (Unlimited)5EAR99锡银铜AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED170WSINGLE5R-PSIP-T5增强型MOSFET170WISOLATED2 N-Channel (Dual) AsymmetricalSWITCHING5.8m Ω @ 100A, 10V4V @ 250μA10500pF @ 25V178nC @ 10V75V120A0.0058Ohm500A75V850 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard无ROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC19 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON97 ns-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004--不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99-AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE----增强型MOSFET310WDRAINN-ChannelSWITCHING4.5m Ω @ 90A, 10V-7500pF @ 25V270nC @ 10V-90A-680A-690 mJ--无ROHS3 Compliant34V @ 250μA4.5Ohm75V90ASingle19 ns140ns±20V100 ns4VTO-247AC20V170A75V75V61 ns4 V5.3086mm20.7mm15.87mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7506-55B,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 对比 | |
![]() | IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC | 对比 |
![]() | IRF1607PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB | 对比 |




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