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首页 全部分类 FMM50-025TF vs FDAF69N25

FMM50-025TF备选型号: FDAF69N25

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • IXYS
    FMM50-025TF
    IXYS
    MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    i4-Pac™-5
    5
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    125W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    FMM
    5
    不合格
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    125W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    50m Ω @ 25A, 10V
    4.5V @ 250μA
    4000pF @ 25V
    78nC @ 10V
    250V
    30A
    400 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDAF69N25
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDAF69N25MOSFET Transistor, N Channel, 34 A, 250 V, 41 mohm, 10 V, 5 V
    -
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    3
    -
    34A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2005
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    41m Ω @ 17A, 10V
    5V @ 250μA
    4640pF @ 25V
    100nC @ 10V
    -
    34A
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    Single
    115W
    855ns
    ±30V
    220 ns
    5V
    30V
    250V
    无SVHC
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