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FMM60-02TF备选型号: IPI320N20N3GAKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC30 Weeks通孔通孔i4-Pac™-55SILICON2-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2008e1yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED125WSINGLE未说明未说明FMM5不合格SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATED125W2 N-Channel (Dual)SWITCHING40m Ω @ 30A, 10V4.5V @ 250μA3700pF @ 25V90nC @ 10V200V33A0.04Ohm200V1000 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant无铅----------
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3 Tab) TO-26218 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA-SILICON34A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008e3no活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)--SINGLE未说明未说明-3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING32m Ω @ 34A, 10V4V @ 90μA2350pF @ 100V29nC @ 10V-34A0.032Ohm----ROHS3 Compliant含铅not_compliantR-PSIP-T3136W11 ns无卤素9ns±20V4 ns20V200V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW40NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 200V 40A TO-247 | 对比 |
 | STF40NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP | 对比 |
| IPI320N20N3GAKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
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