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首页 全部分类 FMP36-015P vs IRF6218PBF

FMP36-015P备选型号: IRF6218PBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管特性
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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 供应商器件包装
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  • 双电源电压
  • 输入电容
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  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    FMP36-015P
    IXYS
    MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC
    通孔
    通孔
    i4-Pac™-5
    5
    SILICON
    36A 22A
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Polar™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    125W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    5
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N and P-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 31A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2250pF @ 25V
    70nC @ 10V
    150V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    22A
    36A
    0.04Ohm
    1000 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRF6218PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -150V; RDS(ON) 120 Milliohms; ID -27A; TO-220AB; PD 250W
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    27A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    -
    150mOhm @ 16A, 10V
    5V @ 250μA
    2210pF @ 25V
    110nC @ 10V
    150V
    -
    -27A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    14 Weeks
    Tin
    TO-220AB
    175°C
    -55°C
    -150V
    -27A
    Single
    250W
    21 ns
    70ns
    ±20V
    30 ns
    -5V
    20V
    -150V
    -150V
    2.21nF
    150mOhm
    150 mΩ
    -5 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    无铅
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