Infineon Technologies IRF6218PBF

工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2003

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-150V

额定电流

-27A

元素配置

Single

功率耗散

250W

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

150mOhm @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2210pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

上升时间

70ns

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

-27A

阈值电压

-5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-150V

双电源电压

-150V

输入电容

2.21nF

漏源电阻

150mOhm

最大rds

150 mΩ

栅源电压

-5 V

高度

15.24mm

长度

10.5156mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅