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FMS6G10US60备选型号: FP7G50US60

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  • 元素配置
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FMS6G10US60
    ON Semiconductor
    IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA
    底座安装
    底座安装
    25PM-AA
    25
    600V
    -40°C~150°C TJ
    Box
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    66W
    10A
    三相逆变器
    三相桥式整流器
    2.7V
    10A
    250μA
    710pF
    2.7V @ 15V, 10A
    有
    0.71nF @ 30V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FP7G50US60
    ON Semiconductor
    IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    EPM7
    7
    600V
    -40°C~125°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    250W
    -
    半桥
    Standard
    600V
    50A
    250μA
    2.92nF
    2.8V @ 15V, 50A
    无
    2.92nF @ 30V
    符合RoHS标准
    -
    EPM7
    Power-SPM™
    125°C
    -40°C
    Dual
    250W
    600V
    无
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