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首页 全部分类 FP25R12KS4CBOSA1 vs APTGFQ25H120T2G

FP25R12KS4CBOSA1备选型号: APTGFQ25H120T2G

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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输入电容
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    FP25R12KS4CBOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 1200V 40A
    14 Weeks
    PCB, Screw
    底座安装
    Module
    24
    SILICON
    1.2kV
    3.2V
    -40°C~125°C
    2001
    no
    活跃
    不适用
    24
    EAR99
    230W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    24
    不合格
    Single
    230W
    ISOLATED
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    40A
    5mA
    1200V
    110 ns
    3.7V @ 15V, 25A
    460 ns
    有
    1.5nF @ 25V
    17mm
    107.5mm
    45mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGFQ25H120T2G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
    29 Weeks
    Screw, Through Hole
    通孔
    SP2
    22
    -
    1.2kV
    -
    -
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    227W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    全桥
    -
    -
    -
    -
    Standard
    1.2kV
    40A
    250μA
    1200V
    -
    2.1V @ 15V, 25A
    -
    有
    2.02nF @ 25V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    150°C
    -40°C
    2.02nF
    NPT和现场止动
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