Infineon Technologies FP25R12KS4CBOSA1
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FP25R12KS4CBOSA1
1211-FP25R12KS4CBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE VCES 1200V 40A
1最小包装量--
FP25R12KS4CBOSA1详情
Infineon Technologies FP25R12KS4CBOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
PCB, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
24
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.2V
Number of Elements
7
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2001
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
24
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
230W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
24
资历状况
不合格
配置
Single
功率耗散
230W
箱体转运
ISOLATED
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
40A
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
110 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.7V @ 15V, 25A
关断时间-标准值(toff)
460 ns
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
1.5nF @ 25V
高度
17mm
长度
107.5mm
宽度
45mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
FP25R12KS4CBOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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