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首页 全部分类 FP30R06KE3BOSA1 vs FP15R12W1T4BOMA1

FP30R06KE3BOSA1备选型号: FP15R12W1T4BOMA1

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  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
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  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最大功率耗散
  • 晶体管应用
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    FP30R06KE3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 37A 125W
    12 Weeks
    Tin
    Screw
    底座安装
    Module
    24
    SILICON
    37A
    -40°C~150°C
    2002
    no
    活跃
    不适用
    24
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    24
    不合格
    三相逆变器
    ISOLATED
    125W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    37A
    1mA
    170 ns
    2V @ 15V, 30A
    750 ns
    沟渠现场停车
    有
    1.65nF @ 25V
    17mm
    107.5mm
    45mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FP15R12W1T4BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 28A 130W
    16 Weeks
    -
    Screw
    底座安装
    Module
    23
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~150°C
    2002
    no
    活跃
    不适用
    23
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    23
    不合格
    三相逆变器
    ISOLATED
    130W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    28A
    1mA
    120 ns
    2.25V @ 15V, 15A
    495 ns
    沟渠现场停车
    有
    890pF @ 25V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    1.85V
    130W
    电源控制
    1200V
    无SVHC
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