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首页 全部分类 FP30R06W1E3B11BOMA1 vs APTGT20H60T1G

FP30R06W1E3B11BOMA1备选型号: APTGT20H60T1G

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  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 输入电容
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • Infineon Technologies
    FP30R06W1E3B11BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 37A 115W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    23
    SILICON
    37A
    -40°C~150°C
    Bulk
    2002
    活跃
    不适用
    23
    EAR99
    UL认证
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    ISOLATED
    115W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    37A
    1mA
    42 ns
    2V @ 15V, 30A
    245 ns
    沟渠现场停车
    有
    1.65nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT20H60T1G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 600V 32A 12-Pin Case SP-1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    1
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    -
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    -
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    未说明
    未说明
    全桥逆变器
    ISOLATED
    62W
    MOTOR CONTROL
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.9V
    32A
    250μA
    170 ns
    1.9V @ 15V, 20A
    310 ns
    沟渠现场停车
    有
    1.1nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    e1
    yes
    锡银铜
    62W
    12
    不合格
    1.1nF
    20V
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APTGT20H60T1G APTGT20H60T1G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP1 Trans IGBT Module N-CH 600V 32A 12-Pin Case SP-1 对比