FPF1C2P5BF07A备选型号: IRFBA1404PPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 漏源电压 (Vdss)
- 反向恢复时间
- 连续放电电流(ID)
- 隔离电压
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FPF1C2P5BF07A IPM, MOSFET, 250W, 36A, 650V13 Weeks通孔底座安装F1 Module23g-40°C~150°C TJTray2014yes活跃1 (Unlimited)250W5 N-Channel (Solar Inverter)90m Ω @ 27A, 10V3.8V @ 250μA650V109 ns36A2.5kVStandard无SVHCROHS3 Compliant-------------------------------
- MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-22012 Weeks通孔通孔TO-273AA--40°C~175°C TJTube2004-活跃1 (Unlimited)-N-Channel3.7m Ω @ 95A, 10V4V @ 250μA--206A---ROHS3 Compliant3SILICON206A TcHEXFET®3EAR993.7MOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE40V206ASingle增强型MOSFET300WDRAIN17 nsSWITCHING7360pF @ 25V200nC @ 10V140ns±20V26 ns20V95A40V650A480 mJ15mm10.9982mm5mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFBA1404PPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-273AA | MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 | 对比 |
| FSB50450 | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 | 23-PowerDIP Module (0.551, 14.00mm) | IC SMART POWER MOD 3A SPM23-AA | 对比 | |
| FSBB30CH60 | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 | 27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm) | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FSBB30CH60 SMART POWER MODULE, 600V, 30A | 对比 |



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