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FQB10N20CTM备选型号: FQB7P20TM
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK (TO-263AB)9.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2003Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C200V9.5ASingle72WN-Channel360mOhm @ 4.75A, 10V4V @ 250μA510pF @ 25V26nC @ 10V92ns200V±30V72 ns9.5A30V200V510pF290mOhm360 mΩ符合RoHS标准无铅----------------------- MOSFET 200V P-Channel QFET表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-7.3A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000活跃1 (Unlimited)---200V-7.3ASingle3.13WP-Channel690m Ω @ 3.65A, 10V5V @ 250μA770pF @ 25V25nC @ 10V110ns200V±30V42 ns7.3A30V-200V---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks1.31247gSILICONe3yes2EAR99690MOhmTin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAIN15 nsSWITCHING29.2A570 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB4NK60ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH | 对比 |
| FQB7P20TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 200V P-Channel QFET | 对比 |
 | IRF630NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | 对比 |
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