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首页 全部分类 FQB10N20LTM vs IRF6215STRLPBF

FQB10N20LTM备选型号: IRF6215STRLPBF

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  • 电阻
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQB10N20LTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    D2PAK (TO-263AB)
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    200V
    10A
    Single
    3.13W
    N-Channel
    360mOhm @ 5A, 10V
    2V @ 250μA
    830pF @ 25V
    17nC @ 5V
    150ns
    200V
    ±20V
    95 ns
    10A
    20V
    200V
    830pF
    360mOhm
    360 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6215STRLPBF
    Infineon Technologies
    Single P-Channel 150 V 0.58 Ohm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    13A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -150V
    -13A
    Single
    110W
    P-Channel
    290m Ω @ 6.6A, 10V
    4V @ 250μA
    860pF @ 25V
    66nC @ 10V
    36ns
    -
    ±20V
    37 ns
    -13A
    20V
    -150V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    3
    SILICON
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    290mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    -4V
    44A
    150V
    -4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
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IRF630NSPBF IRF630NSPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK 对比