ON Semiconductor FQB10N20LTM

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK (TO-263AB)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 87W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

200V

额定电流

10A

元素配置

Single

功率耗散

3.13W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

360mOhm @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

830pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 5V

上升时间

150ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

95 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

输入电容

830pF

漏源电阻

360mOhm

最大rds

360 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅