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FQB10N50CFTM-WS备选型号: STD11NM65N
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- 配置
- 漏极-源极导通最大电阻
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 10A DPAKACTIVE (Last Updated: 1 week ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON10A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FRFET®, QFET™yes活跃1 (Unlimited)2鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET143WDRAINN-ChannelSWITCHING610m Ω @ 5A, 10V4V @ 250μA2210pF @ 25V60nC @ 10V500V±30V10A30V40A500V825 mJROHS3 Compliant------
MOSFET N CH 650V 11A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON110W Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ II-活跃1 (Unlimited)2鸥翼未说明-未说明R-PSSO-G2-增强型MOSFET-DRAINN-ChannelSWITCHING455m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA800pF @ 50V29nC @ 10V650V±25V11A-44A650V147 mJROHS3 CompliantEAR99SINGLESTD11SINGLE WITH BUILT-IN DIODE0.455Ohm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD11N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 650V 11A DPAK | 对比 |
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