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FQB19N20CTM备选型号: FQB19N20LTM

FQB19N20CTM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK

ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
5 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
1.31247g
SILICON
19A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
QFET®
2004
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
170mOhm
Tin (Sn)
8541.29.00.95
200V
鸥翼
19A
R-PSSO-G2
Single
增强型MOSFET
3.13W
DRAIN
15 ns
N-Channel
SWITCHING
170m Ω @ 9.5A, 10V
4V @ 250μA
1080pF @ 25V
53nC @ 10V
150ns
±30V
115 ns
19A
30V
200V
76A
4.83mm
10.67mm
9.65mm
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
-
-
-
FQB19N20LTM

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R

ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
7 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
-
SILICON
1
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
QFET®
2000
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
140MOhm
-
-
200V
鸥翼
21A
R-PSSO-G2
Single
增强型MOSFET
3.13W
DRAIN
35 ns
N-Channel
SWITCHING
140m Ω @ 10.5A, 10V
2V @ 250μA
2200pF @ 25V
35nC @ 5V
300ns
±20V
180 ns
21mA
20V
200V
-
4.83mm
10.67mm
9.65mm
无
ROHS3 Compliant
无铅
Tin
200V
17A
2V
250 mJ
2 V
无SVHC
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	FQB19N20LTM	ON Semiconductor	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R	对比
	IRF640NSTRLPBF	Infineon Technologies	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK	对比