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FQB25N33TM备选型号: FQB2P25TM
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON25A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2006e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95330V鸥翼24525A30R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET3.1WDRAINN-ChannelSWITCHING230m Ω @ 12.5A, 10V5V @ 250μA2010pF @ 25V75nC @ 15V100ns±30V70 ns25A30V330V100A370 mJ符合RoHS标准无铅---------- MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-2.3A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000-Obsolete1 (Unlimited)-----250V---2.3A---Single-3.13W-P-Channel-4Ohm @ 1.15A, 10V5V @ 250μA250pF @ 25V8.5nC @ 10V40ns±30V25 ns2.3A30V-250V--符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)150°C-55°C8.5 ns250V250pF3.15Ohm4 Ω无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB2P25TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK | 对比 |
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