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首页 全部分类 FQB7P20TM vs FQB12P20TM

FQB7P20TM备选型号: FQB12P20TM

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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FQB7P20TM
    ON Semiconductor
    MOSFET 200V P-Channel QFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    7.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    690MOhm
    Tin (Sn)
    -200V
    鸥翼
    -7.3A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.13W
    DRAIN
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    690m Ω @ 3.65A, 10V
    5V @ 250μA
    770pF @ 25V
    25nC @ 10V
    110ns
    200V
    ±30V
    42 ns
    7.3A
    30V
    -200V
    29.2A
    570 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB12P20TM
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FQB12P20TM - P CHANNEL MOSFET, -200V, -11.5A, D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    11.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    470mOhm
    -
    -200V
    鸥翼
    -11.5A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.13W
    DRAIN
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    470m Ω @ 5.75A, 10V
    5V @ 250μA
    1200pF @ 25V
    40nC @ 10V
    195ns
    200V
    ±30V
    60 ns
    11.5mA
    30V
    -200V
    46A
    -
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
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    -5V
    5 V
    无SVHC
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