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FQB7P20TM备选型号: FQB19N20CTM
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- 生命周期状态
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- HTS代码
MOSFET 200V P-Channel QFETACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON7.3A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99690MOhmTin (Sn)-200V鸥翼-7.3AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.13WDRAIN15 nsP-ChannelSWITCHING690m Ω @ 3.65A, 10V5V @ 250μA770pF @ 25V25nC @ 10V110ns200V±30V42 ns7.3A30V-200V29.2A570 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅-- MOSFET N-CH 200V 19A D2PAKACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)5 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON19A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2004e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99170mOhmTin (Sn)200V鸥翼19AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.13WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING170m Ω @ 9.5A, 10V4V @ 250μA1080pF @ 25V53nC @ 10V150ns-±30V115 ns19A30V200V76A-4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅8541.29.00.95
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB12P20TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ON SEMICONDUCTOR - FQB12P20TM - P CHANNEL MOSFET, -200V, -11.5A, D2PAK | 对比 |
| FQB9P25TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 250V P-Channel QFET | 对比 |
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