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首页 全部分类 FQD11P06TM vs FQD13N06TM

FQD11P06TM备选型号: FQD13N06TM

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  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FQD11P06TM
    ON Semiconductor
    In a Pack of 5, P-Channel MOSFET, 9.4 A, 60 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FQD11P06TM
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    9.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    185mOhm
    Tin (Sn)
    -60V
    鸥翼
    -9.4A
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    6.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    185m Ω @ 4.7A, 10V
    4V @ 250μA
    550pF @ 25V
    17nC @ 10V
    40ns
    60V
    ±30V
    45 ns
    -9.4A
    -4V
    30V
    -60V
    150°C
    2.517mm
    6.6mm
    6.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD13N06TM
    ON Semiconductor
    MOSFET 60V N-Ch QFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    10A
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    310pF @ 25V
    7.5nC @ 10V
    25ns
    -
    ±25V
    15 ns
    10A
    -
    25V
    60V
    -
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    40A
    85 mJ
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FQD13N06TM FQD13N06TM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET 60V N-Ch QFET 对比