FQD18N20V2TM备选型号: FQD7P20TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电压
- 电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- ON SEMICONDUCTOR - FQD18N20V2TM - N CHANNEL MOSFET, 200V, 15mAACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON15A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2014e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99140MOhm200VDUAL鸥翼15AR-PDSO-G21Single增强型MOSFET2.5WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING140m Ω @ 7.5A, 10V5V @ 250μA1080pF @ 25V26nC @ 10V133ns±30V62 ns15A30V200V60A150°C5 V2.517mm6.6mm6.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAKACTIVE (Last Updated: 2 days ago)4 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON5.7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99690mOhm-200V-鸥翼-5.7AR-PSSO-G2-Single增强型MOSFET2.5WDRAIN15 nsP-ChannelSWITCHING690m Ω @ 2.85A, 10V5V @ 250μA770pF @ 25V25nC @ 10V110ns±30V42 ns5.7mA30V-200V--5 V2.3mm6.6mm6.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅150V13A200V-5V570 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQD12N20TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | FQD7P20TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK | 对比 |
![]() | STD20NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | 对比 |




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