FQD19N10LTM备选型号: FQD7N10LTM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R6 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Tin表面贴装表面贴装3260.37mgSILICON2.5W Ta 50W Tc2V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99100mOhm100V鸥翼15.6AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET2.5WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 7.8A, 10V870pF @ 25V18nC @ 5V410ns±20V140 ns15.6A2V20V100V62.4A220 mJ6.1mm2.3mm6.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
- Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R4 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Tin表面贴装表面贴装3260.37mgSILICON5.8A Tc2V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000e3yesACTIVE (Last Updated: 2 days ago)1 (Unlimited)2EAR99350mOhm100V鸥翼5.8AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET2.5WDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING350m Ω @ 2.9A, 10V290pF @ 25V6nC @ 5V100ns±20V50 ns5.8A2V20V100V-50 mJ6.1mm2.3mm6.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQD19N10TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | FQD13N10LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | 对比 |



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