ON Semiconductor FQD19N10TM

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 50W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Number of Elements

1

系列

QFET®

已出版

2000

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

100MOhm

电压 - 额定直流

100V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

15.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 7.8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

780pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

150ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

15.6A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

62.4A

雪崩能量等级（Eas）

220 mJ

宽度

6.1mm

长度

6.6mm

高度

2.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅