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FQD2N90TM备选型号: FQD2N100TM
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电阻
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON1.7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99900V鸥翼未说明not_compliant1.7A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET2.5WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING7.2 Ω @ 850mA, 10V5V @ 250μA500pF @ 25V15nC @ 10V35ns±30V30 ns1.7A30V900V6.8AROHS3 Compliant无铅------------- MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAKACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON1.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99900V鸥翼--1.6A-R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET2.5WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING9 Ω @ 800mA, 10V5V @ 250μA520pF @ 25V15.5nC @ 10V30ns±30V35 ns1.6A30V1kV6.4AROHS3 Compliant无铅20139Ohm11000V5V150°C5 V2.517mm6.6mm6.1mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQD2N80TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N80TM N CHANNEL MOSFET, 800V, 1.8A | 对比 |
 | STD2NK90ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK | 对比 |
| FQD2N100TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | 对比 |
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