FQD2P40TM备选型号: FDD3N40TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R9 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON1.56A Tc5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®e3yesACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2400VSingle18A增强型MOSFET2.5WDRAIN9 nsP-ChannelSWITCHING6.5 Ω @ 780mA, 10V350pF @ 25V13nC @ 10V33ns±30V25 ns1.56A30V-400V无ROHS3 Compliant无铅--------------
- Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON2A Tc5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET™e3yesACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2-Single-增强型MOSFET30WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING3.4 Ω @ 1A, 10V225pF @ 25V6nC @ 10V30ns±30V25 ns2A30V400V无ROHS3 Compliant无铅260.37mg2013SMD/SMT3.4Ohm快速切换5VTO-252AA2A8A46 mJ2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD3N40TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |



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