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首页 全部分类 FQD30N06TF vs IRFR4105TRPBF

FQD30N06TF备选型号: IRFR4105TRPBF

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  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • 晶体管应用
  • 阈值电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQD30N06TF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    22.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    60V
    22.7A
    Single
    2.5W
    N-Channel
    45m Ω @ 11.4A, 10V
    4V @ 250μA
    945pF @ 25V
    25nC @ 10V
    85ns
    ±25V
    40 ns
    22.7A
    25V
    60V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR4105TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    27A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    55V
    25A
    Single
    48W
    N-Channel
    45m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    700pF @ 25V
    34nC @ 10V
    49ns
    ±20V
    40 ns
    27A
    20V
    55V
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    3
    SILICON
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    45mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7 ns
    SWITCHING
    4V
    TO-252AA
    20A
    55V
    65 mJ
    86 ns
    4 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    2.38mm
    无SVHC
    无
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