Diodes Incorporated DMN6040SK3-13
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DMN6040SK3-13
671-DMN6040SK3-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N CH 60V 20A TO252
--最小包装量--
DMN6040SK3-13详情
Diodes Incorporated DMN6040SK3-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
42W Tc
Turn Off Delay Time
20.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1287pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22.4nC @ 10V
上升时间
8.1ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.04Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
高度
2.39mm
长度
6.7mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN6040SK3-13拓展信息
Diodes Incorporated
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