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首页 全部分类 FQD3N50CTM vs SPD03N50C3ATMA1

FQD3N50CTM备选型号: SPD03N50C3ATMA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FQD3N50CTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    2.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2015
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    35W
    10 ns
    N-Channel
    2.5 Ω @ 1.25A, 10V
    4V @ 250μA
    365pF @ 25V
    13nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    25 ns
    2.5A
    30V
    500V
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPD03N50C3ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    38W
    10 ns
    N-Channel
    1.4Ohm @ 2A, 10V
    3.9V @ 135μA
    350pF @ 25V
    15nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    15 ns
    3.2A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    PG-TO252-3-1
    150°C
    -55°C
    560V
    3.2A
    500V
    500V
    350pF
    1.25Ohm
    1.4 Ω
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
SPD03N50C3ATMA1 SPD03N50C3ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比