FQD6N40CTM备选型号: FQD6N50CTM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- MOSFET 400V N-Channel Advance QFETACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON4.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR991OhmTin (Sn)快速切换400V鸥翼4.5AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET2.5WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 2.25A, 10V4V @ 250μA625pF @ 25V20nC @ 10V65ns±30V38 ns4.5A2VTO-252AA30V400V270 mJ2.3mm6.6mm6.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
- Transistor, Mosfet, N-Channel, 500V V(Br)Dss, 4.5A I(D), To-252AaACTIVE (Last Updated: 2 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON4.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)-500V鸥翼4.5AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET2.5WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 2.25A, 10V4V @ 250μA700pF @ 25V25nC @ 10V35ns±30V45 ns4.5A--30V500V-----无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQD6N50CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Transistor, Mosfet, N-Channel, 500V V(Br)Dss, 4.5A I(D), To-252Aa | 对比 |
![]() | STD7NK40ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | FQD5N50CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK | 对比 |




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