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首页 全部分类 FQD6N40CTM vs STD6NK50ZT4

FQD6N40CTM备选型号: STD6NK50ZT4

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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 引脚数量
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FQD6N40CTM
    ON Semiconductor
    MOSFET 400V N-Channel Advance QFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    1Ohm
    Tin (Sn)
    快速切换
    400V
    鸥翼
    4.5A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 2.25A, 10V
    4V @ 250μA
    625pF @ 25V
    20nC @ 10V
    65ns
    ±30V
    38 ns
    4.5A
    2V
    TO-252AA
    30V
    400V
    270 mJ
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD6NK50ZT4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    5.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH™
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    1.2Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    500V
    鸥翼
    5.6A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    -
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 2.8A, 10V
    4.5V @ 50μA
    690pF @ 25V
    24.6nC @ 10V
    23.5ns
    ±30V
    23 ns
    5.6A
    3.75V
    -
    30V
    500V
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260
    30
    STD6N
    3
    22.4A
    3.75 V
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