FQD7P20TM备选型号: FQD9N25TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 端子表面处理
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAKACTIVE (Last Updated: 2 days ago)4 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON5.7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2000e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99690mOhm-200V鸥翼-5.7AR-PSSO-G2150VSingle13A增强型MOSFET2.5WDRAIN15 nsP-ChannelSWITCHING690m Ω @ 2.85A, 10V5V @ 250μA770pF @ 25V25nC @ 10V110ns200V±30V42 ns5.7mA-5V30V-200V570 mJ5 V2.3mm6.6mm6.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET 250V N-Channel QFETACTIVE (Last Updated: 2 days ago)4 Weeks-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON7.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®-e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-250V鸥翼7.4AR-PSSO-G2-Single-增强型MOSFET2.5WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING420m Ω @ 3.7A, 10V5V @ 250μA700pF @ 25V20nC @ 10V105ns-±30V45 ns7.4A5V30V250V-----无SVHC无ROHS3 Compliant无铅260.37mgTin (Sn)0.42Ohm29.6A
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQD9N25TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 250V N-Channel QFET | 对比 |



哦! 它是空的。