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FQI4N80TU备选型号: FQI5N60CTU

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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • JESD-30代码
  • ON Semiconductor
    FQI4N80TU
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    2.084g
    SILICON
    3.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.6Ohm
    Tin (Sn)
    800V
    3.9A
    Single
    增强型MOSFET
    3.13W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6 Ω @ 1.95A, 10V
    5V @ 250μA
    880pF @ 25V
    25nC @ 10V
    45ns
    ±30V
    35 ns
    3.9A
    30V
    800V
    460 mJ
    9.2mm
    9.9mm
    4.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQI5N60CTU
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
    ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    2.084g
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    600V
    5A
    Single
    增强型MOSFET
    3.13W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 2.25A, 10V
    4V @ 250μA
    670pF @ 25V
    19nC @ 10V
    42ns
    ±30V
    46 ns
    4.5A
    30V
    600V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    快速切换
    R-PSIP-T3
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FQI4N90TU FQI4N90TU ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK 对比