ON Semiconductor FQI4N80TU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

质量

2.084g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 130W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.6Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

800V

额定电流

3.9A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.13W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.6 Ω @ 1.95A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

880pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

45ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

3.9A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

800V

雪崩能量等级（Eas）

460 mJ

高度

9.2mm

长度

9.9mm

宽度

4.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅